Disebut EPC2069, ia "dirancang untuk bahagian kedua penukar dc-dc LLC dari 40 - 60V hingga 12V, yang menjadi biasa bagi pelayan input 48V - 54V baru yang diperlukan untuk aplikasi pengkomputeran berkepadatan tinggi seperti kecerdasan buatan dan permainan" , menurut CEO EPC Alex Lidow. "Peranti ini menawarkan parasit yang lebih kecil dan berkurang dibandingkan dengan FET GaN 40V generasi sebelumnya."
Disebut EPC2069, ia hadir dalam ukuran 3.25 x 3.25mm (10.6mm2) pakej dan mempunyai caj gerbang 12.5nC (typ, 16.2nC max) (20Vds, 5Vgs, 30A) dan sifar kerugian pemulihan terbalik, sesuai untuk beroperasi pada 1MHz dan ke atas.
Rds (aktif) dalam peranti mod peningkatan adalah 2.25mΩ dan boleh mengendalikan sehingga 80A secara berterusan atau berdenyut 422A.
Aplikasi dijangka menghasilkan 500W hingga 2kW pada kecekapan melebihi 98%, dan dengan ketumpatan kuasa berpotensi melebihi 4kW / in3, walaupun "penggunaan peranti eGaN di sisi primer dan di sisi sekunder diperlukan untuk mencapai kepadatan daya> 4,000W / in3", Kata EPC. Electronics Weekly telah meminta lebih banyak maklumat mengenai konsep ini.
Papan pengembangan yang berkaitan (EPC90139 51 x 51mm) mempunyai tiang totem separuh jambatan yang terbuat dari dua peranti dan dapat menghasilkan hingga 40A. Ini merangkumi litar untuk membelah dan menyusun semula isyarat PWM luaran tunggal menjadi bentuk gelombang untuk fets atas dan bawah, serta pemacu gerbang.
EPC2069 dan EPC90139 boleh didapati dari Digi-Key