Chamado de EPC2069, ele é "projetado para o lado secundário do conversor LLC dc-dc de 40 a 60 V a 12 V, que está se tornando comum para os novos servidores de entrada 48 V a 54 V necessários para aplicativos de computação de alta densidade, como inteligência artificial e jogos" , de acordo com o CEO da EPC, Alex Lidow. “Este dispositivo oferece um tamanho menor e menos parasitas em comparação com FETs de 40V GaN da geração anterior.”
Chamado EPC2069, ele vem em um 3.25 x 3.25 mm (10.6 mm2) pacote e tem 12.5nC (típico, 16.2nC máx.) carga de porta (20Vds, 5Vgs, 30A) e perda de recuperação reversa zero, adequando-o para operação a 1MHz e acima.
Rds (ligado) no dispositivo de modo de aprimoramento é de 2.25 mΩ e pode lidar com até 80A continuamente ou 422A pulsado.
As aplicações estão previstas entregando 500W a 2kW com eficiências acima de 98%, e com densidade de potência potencialmente acima de 4kW / in3, embora “o uso de dispositivos eGaN tanto no lado primário quanto no lado secundário seja necessário para atingir densidade de potência> 4,000 W / in3“, Disse EPC. A Electronics Weekly solicitou mais informações sobre este conceito.
Uma placa de desenvolvimento associada (EPC90139 51 x 51 mm) tem um totem de meia ponte feito de dois dos dispositivos e pode produzir até 40A. Inclui um circuito para dividir e reprogramar um único sinal PWM externo em formas de onda para os fets superiores e inferiores, bem como para os gate drivers.
EPC2069 e EPC90139 estão disponíveis na Digi-Key