Được gọi là EPC2069, nó được "thiết kế cho mặt phụ của bộ chuyển đổi DC-dc LLC từ 40 - 60V sang 12V, đang trở nên phổ biến đối với các máy chủ đầu vào 48V - 54V mới được yêu cầu cho các ứng dụng tính toán mật độ cao như trí tuệ nhân tạo và chơi game" , theo Giám đốc điều hành EPC Alex Lidow. “Thiết bị này cung cấp cả kích thước nhỏ hơn và giảm ký sinh trùng so với các FET 40V GaN thế hệ trước.”
Được gọi là EPC2069, nó có kích thước 3.25 x 3.25mm (10.6mm2) và có phí cổng 12.5nC (loại, tối đa 16.2nC) (20Vds, 5Vgs, 30A) và không mất khả năng khôi phục ngược, phù hợp với hoạt động ở 1MHz trở lên.
Rds (bật) trong thiết bị chế độ nâng cao là 2.25mΩ và nó có thể xử lý lên đến 80A liên tục hoặc xung 422A.
Các ứng dụng dự kiến sẽ cung cấp 500W đến 2kW với hiệu suất trên 98% và với mật độ công suất có thể trên 4kW / in3, mặc dù “việc sử dụng các thiết bị eGaN ở cả phía sơ cấp và phía thứ cấp được yêu cầu để đạt được mật độ công suất> 4,000W / in3“, EPC cho biết. Tuần báo Điện tử đã yêu cầu thêm thông tin về khái niệm này.
Một bảng phát triển liên kết (EPC90139 51 x 51mm) có một cực vật tổ nửa cầu được làm từ hai trong số các thiết bị và có thể xuất ra tối đa 40A. Nó bao gồm một mạch để phân chia và định thời lại một tín hiệu PWM bên ngoài thành dạng sóng cho các thiết bị trên và dưới, cũng như các trình điều khiển cổng.
EPC2069 và EPC90139 có sẵn từ Digi-Key