EPC2069라고 하는 이 제품은 "인공 지능 및 게임과 같은 고밀도 컴퓨팅 애플리케이션에 필요한 새로운 40V - 60V 입력 서버에 일반적으로 사용되고 있는 12~48V ~ 54V의 LLC dc-dc 컨버터의 40차측용으로 설계되었습니다" , EPC CEO Alex Lidow에 따르면 "이 장치는 이전 세대의 XNUMXV GaN FET와 비교하여 더 작은 크기와 감소된 기생을 모두 제공합니다."
EPC2069라고 하는 이 제품은 3.25 x 3.25mm(10.6mm2) 패키지이며 12.5nC(일반, 최대 16.2nC) 게이트 전하(20Vds, 5Vgs, 30A)와 역 회복 손실이 1이므로 XNUMXMHz 이상에서 작동하기에 적합합니다.
향상 모드 장치의 Rds(on)은 2.25mΩ이며 최대 80A 연속 또는 422A 펄스를 처리할 수 있습니다.
500% 이상의 효율과 2kW/in 이상의 전력 밀도로 98W ~ 4kW를 제공하는 애플리케이션이 예상됩니다.3"4,000W/in 이상의 전력 밀도를 달성하려면 XNUMX차 측과 XNUMX차 측 모두에서 eGaN 장치를 사용해야 하지만3"라고 EPC는 말했습니다. Electronics Weekly는 이 개념에 대한 추가 정보를 요청했습니다.
관련 개발 기판(EPC90139 51 x 51mm)에는 40개의 장치로 만든 하프 브리지 토템 폴이 있으며 최대 XNUMXA를 출력할 수 있습니다. 여기에는 단일 외부 PWM 신호를 게이트 드라이버뿐만 아니라 상부 및 하부 FET에 대한 파형으로 분할하고 리타이밍하는 회로가 포함됩니다.
EPC2069 및 EPC90139는 Digi-Key에서 제공됩니다.