Het wordt EPC2069 genoemd en is "ontworpen voor de secundaire kant van de LLC dc-dc-converter van 40 - 60V naar 12V, wat gebruikelijk wordt voor de nieuwe 48V - 54V-invoerservers die nodig zijn voor computertoepassingen met hoge dichtheid, zoals kunstmatige intelligentie en gaming " , aldus EPC-topman Alex Lidow. "Dit apparaat biedt zowel kleinere afmetingen als minder parasieten in vergelijking met 40V GaN-FET's van de vorige generatie."
Genaamd EPC2069, het wordt geleverd in een 3.25 x 3.25 mm (10.6 mm .)2) pakket en heeft 12.5nC (typ, 16.2nC max) poortlading (20Vds, 5Vgs, 30A) en nul reverse recovery loss, geschikt voor gebruik bij 1MHz en hoger.
Rds(aan) in de verbeteringsmodus is 2.25 mΩ en kan tot 80A continu of 422A gepulseerd aan.
Er wordt verwacht dat toepassingen 500 W tot 2 kW leveren met een efficiëntie van meer dan 98%, en met een vermogensdichtheid die mogelijk hoger is dan 4 kW/inch3, hoewel "het gebruik van eGaN-apparaten aan zowel de primaire als de secundaire zijde vereist is om een vermogensdichtheid van >4,000 W/in te bereiken3", aldus EPC. Electronics Weekly heeft om meer informatie gevraagd over dit concept.
Een bijbehorend ontwikkelbord (EPC90139 51 x 51 mm) heeft een halve brug totempaal gemaakt van twee van de apparaten en kan tot 40 A leveren. Het bevat een circuit om een enkel extern PWM-signaal te splitsen en opnieuw te timen in golfvormen voor de bovenste en onderste fets, evenals gate-drivers.
EPC2069 en EPC90139 zijn verkrijgbaar bij Digi-Key