EPC2069 appellata, "disponitur ad partem secundariam LLC dc-dc convertentis ab 40- 60V ad 12V, quod fit commune pro novis 48V-54V input servientibus requisitis pro densitate applicationum computandi sicut intelligentiae et aleae artificialis" iuxta EPC CEO Alex Lidow. "Haec fabrica offert tam minorem quantitatem quam parasiticam diminutam comparatam cum priori generatione 40V GaN FETs."
EPC2069 appellatus, venit in 3.25 x 3.25mm (10.6mm2) sarcina et 12.5nC (typ, 16.2nC max) praefectum portae (20Vds, 5Vgs, 30A) et nulla reversa damnum recuperationis habet, congruens operationi in 1MHz et sursum.
Rds(on) in modum amplificationis fabrica 2.25mΩ et usque ad 80A continue tractatur vel 422A pulsatur.
Praevisae sunt applicationes tradendae 500W ad 2kW in efficientiis super 98%, et cum densitate potentia potentia supra 4kW/in3, licet « usus machinarum eGaN in utraque parte primario et in latere secundario requirantur ad densitatem potentiam obtinendam >4,000W/in3", dixit EPC. Electronics Weekly plus informationes de hoc conceptu petivit.
Consociata tabula progressionis (EPC90139 51 x 51mm) polum dimidii totem pontis ex duobus machinis confectum habet et usque ad 40A output potest. Circulum includit scindendi et re- tempus unicum signum externum PWM in fluctus formas pro fets superioribus et inferioribus, necnon rectoribus portarum.
EPC2069 et EPC90139 praesto sunt ex Digi-Key