Disebut EPC2069, “dirancang untuk sisi sekunder konverter dc-dc LLC dari 40 – 60V ke 12V, yang menjadi umum untuk server input 48V – 54V baru yang diperlukan untuk aplikasi komputasi kepadatan tinggi seperti kecerdasan buatan dan game” , menurut CEO EPC Alex Lidow. “Perangkat ini menawarkan ukuran yang lebih kecil dan parasit yang berkurang dibandingkan dengan FET GaN 40V generasi sebelumnya.”
Disebut EPC2069, ia hadir dalam ukuran 3.25 x 3.25mm (10.6mm2) dan memiliki 12.5nC (typ, 16.2nC max) gate charge (20Vds, 5Vgs, 30A) dan zero reverse recovery loss, menyesuaikannya untuk operasi pada 1MHz dan lebih tinggi.
Rds(on) dalam perangkat mode peningkatan adalah 2.25mΩ dan dapat menangani hingga 80A terus menerus atau 422A berdenyut.
Aplikasi diperkirakan menghasilkan 500W hingga 2kW dengan efisiensi lebih dari 98%, dan dengan kepadatan daya yang berpotensi di atas 4kW/in3, meskipun “penggunaan perangkat eGaN di sisi primer dan sisi sekunder diperlukan untuk mencapai kepadatan daya >4,000W/in3“, kata EPC. Electronics Weekly telah meminta informasi lebih lanjut tentang konsep ini.
Papan pengembangan terkait (EPC90139 51 x 51mm) memiliki tiang totem setengah jembatan yang terbuat dari dua perangkat dan dapat menghasilkan hingga 40A. Ini mencakup sirkuit untuk membagi dan mengatur ulang waktu sinyal PWM eksternal tunggal menjadi bentuk gelombang untuk fet atas dan bawah, serta driver gerbang.
EPC2069 dan EPC90139 tersedia dari Digi-Key