EPC2069と呼ばれるこの製品は、「人工知能やゲームなどの高密度コンピューティングアプリケーションに必要な新しい40V～60V入力サーバーで一般的になりつつある、12～48Vから54VまでのLLC DC-DCコンバータの二次側用に設計されています」とEPC CEOのAlex Lidow氏は述べています。 「このデバイスは、前世代の 40V GaN FET と比較して、サイズが小さく、寄生成分が低減されています。」
EPC2069 と呼ばれるこの製品は、3.25 x 3.25 mm (10.6 mm) です。2) パッケージで、12.5nC (標準、最大 16.2nC) のゲート電荷 (20Vds、5Vgs、30A) と逆回復損失がゼロで、1MHz 以上での動作に適しています。
エンハンスメント モード デバイスの Rds(on) は 2.25mΩ で、最大 80A の連続電流または 422A のパルス電流を処理できます。
アプリケーションは、500% 以上の効率で 2W ～ 98kW を供給し、潜在的に 4kW/インチを超える電力密度を実現すると予測されています。3ただし、「4,000W/インチを超える電力密度を達成するには、一次側と二次側の両方でeGaNデバイスを使用する必要がある」3」とEPCは述べた。 Electronics Weekly は、このコンセプトに関するさらなる情報を求めています。
関連する開発ボード (EPC90139 51 x 51mm) には、40 つのデバイスから作られたハーフブリッジ トーテム ポールがあり、最大 XNUMXA を出力できます。 これには、単一の外部 PWM 信号を上部および下部 FET、およびゲート ドライバーの波形に分割してリタイミングする回路が含まれています。
EPC2069およびEPC90139はDigi-Keyから入手可能です