Chiamato EPC2069, è “progettato per il lato secondario del convertitore CC-CC LLC da 40 – 60 V a 12 V, che sta diventando comune per i nuovi server di ingresso da 48 V – 54 V necessari per applicazioni di elaborazione ad alta densità come l'intelligenza artificiale e i giochi” , secondo il CEO di EPC Alex Lidow. "Questo dispositivo offre sia dimensioni più ridotte che parassiti ridotti rispetto ai FET GaN 40V della generazione precedente."
Chiamato EPC2069, è disponibile in 3.25 x 3.25 mm (10.6 mm2) e ha una carica di gate di 12.5 nC (tip, 16.2 nC max) (20 Vds, 5 Vgs, 30 A) e nessuna perdita di ripristino inversa, adattandolo al funzionamento a 1 MHz e oltre.
Rds (on) nel dispositivo in modalità di miglioramento è 2.25 mΩ e può gestire fino a 80 A continui o 422 A a impulsi.
Si prevede che le applicazioni forniscano da 500W a 2kW con efficienze superiori al 98% e con densità di potenza potenzialmente superiori a 4kW/in3, sebbene “l'uso di dispositivi eGaN sia sul lato primario che sul lato secondario è necessario per raggiungere una densità di potenza >4,000W/in3“, ha detto EPC. Electronics Weekly ha richiesto maggiori informazioni su questo concetto.
Una scheda di sviluppo associata (EPC90139 51 x 51 mm) ha un totem a mezzo ponte composto da due dei dispositivi e può emettere fino a 40 A. Include un circuito per suddividere e risincronizzare un singolo segnale PWM esterno in forme d'onda per i fet superiore e inferiore, nonché i gate driver.
EPC2069 e EPC90139 sono disponibili da Digi-Key