Taiwan und Korea beherbergen 40 % der weltweiten Waferkapazität

Update: 6. August 2023

Der Bericht betrachtet die gesamte installierte monatliche Kapazität von Fabs in einer Region, unabhängig vom Hauptsitz der Unternehmen, die die Fabs besitzen.

Beispielsweise wird die Waferkapazität, die Samsung in den USA installiert hat, in die Gesamtkapazität in Nordamerika gezählt, nicht in die Gesamtkapazität in Südkorea.

Die „Region“ von ROW besteht hauptsächlich aus Singapur, Israel und Malaysia, umfasst aber auch Länder/Regionen wie Russland, Weißrussland und Australien.


Figure 1

Einige Beobachtungen in der Globaler Bericht zur Wafer-Kapazität 2021-2025 bezüglich IC Kapazitätstrends nach Regionen umfassen:

• Im Dezember 2020 war Taiwan mit 21.4 % der in diesem Land installierten globalen Waferkapazität weltweit führend. An zweiter Stelle folgte Südkorea mit einem Anteil von 20.4 % an der weltweiten Waferkapazität. Taiwan war der Kapazitätsführer bei 200-mm-Wafern. Bei 300-mm-Wafern lag Südkorea an der Spitze, dicht gefolgt von Taiwan. Samsung und SK Hynix bauen ihre Fabs in Südkorea weiter aggressiv aus, um ihre großvolumigen DRAM- und NAND-Flash-Geschäfte zu unterstützen.

• Taiwan überholte Südkorea im Jahr 2015 und wurde zum größten Kapazitätsinhaber, nachdem es 2011 Japan überholt hatte. Taiwan wird voraussichtlich bis 2025 die größte Region für Waferkapazitäten bleiben. Das Land wird voraussichtlich fast 1.4 Millionen Wafer (200 mm-Äquivalent) in monatliche Fabrikkapazität zwischen 2020 und 2025.

• Ende 2020 verfügte China über 15.3 % der Weltkapazität, was fast so viel wie Japan war. Es wird erwartet, dass China im Jahr 2021 Japan bei der installierten Leistung überholen wird. China entfiel 2010 erstmals mehr Waferkapazität als Europa, übertraf 2016 erstmals die Kapazität der ROW-Region und übertraf dann 2019 erstmals die Kapazität in Nordamerika.

• China wird voraussichtlich die einzige Region sein, die von 2020 bis 2025 Prozentpunkte ihres Kapazitätsanteils zunimmt (3.7 Prozentpunkte). Während die Erwartungen für die Einführung der großen neuen von China geführten DRAM- und NAND-Fabs gedämpft wurden, wird in den nächsten Jahren auch eine beträchtliche Menge an Waferkapazität von Speicherherstellern mit Hauptsitz in anderen Ländern und von lokalen IC-Herstellern nach China kommen .

• Der Kapazitätsanteil in Nordamerika wird im Prognosezeitraum voraussichtlich sinken, da die große Fabless-Zulieferindustrie der Region weiterhin auf Gießereien angewiesen ist, vor allem auf solche mit Sitz in Taiwan. Auch der Kapazitätsanteil Europas wird voraussichtlich weiter langsam schrumpfen.