“La transición a las obleas de SiC de 200 mm traerá ventajas sustanciales a nuestros clientes automotrices e industriales a medida que aceleran la transición hacia la electrificación”, dijo el presidente de automoción de ST, Marco Monti.
La empresa afirma tener alta calidad con defectos mínimos de dislocación de cristales gracias a su experiencia en el crecimiento de lingotes de SiC. la tecnología desarrollado por STMicroelectronics Silicon Carbide (anteriormente Norstel, adquirida en 2019). En colaboración con socios de la cadena de suministro, también está desarrollando otros equipos y procesos de fabricación para la producción de SiC de 200 mm.
“Es importante para impulsar economías de escala a medida que aumentan los volúmenes de productos”, dijo Monti. “Desarrollar conocimientos en nuestro ecosistema interno de SiC en toda la cadena de fabricación, desde los sustratos hasta la producción frontal y posterior a gran escala, aumenta nuestra flexibilidad y nos permite controlar mejor la mejora del rendimiento y la calidad de las obleas”.
Actualmente, ST fabrica productos de SiC en dos líneas de obleas de 150 mm, una en Catania Italia y la otra en Ang Mo Kio Singapur. Los sitios de back-end se encuentran en Shenzhen y Bouskoura Marruecos. Planea construir una nueva planta de sustratos de SiC y obtener más del 40% de sus sustratos de SiC internamente para 2024. Pasar de sustratos de 150 a 200 mm casi duplica el recuento de componentes por oblea.
Las obleas de Norrköping iniciales se utilizarán para la creación de prototipos de dispositivos de potencia.