“Việc chuyển đổi sang tấm xốp SiC 200mm sẽ mang lại những lợi thế đáng kể cho các khách hàng ô tô và công nghiệp của chúng tôi khi họ đẩy nhanh quá trình chuyển đổi sang điện khí hóa,” chủ tịch ô tô Marco Monti của ST cho biết.
Công ty đang khẳng định chất lượng cao với các khuyết tật lệch vị trí tinh thể tối thiểu nhờ chuyên môn về phát triển phôi SiC công nghệ được phát triển bởi STMicroelectronics Silicon Carbide (trước đây là Norstel, được mua lại vào năm 2019). Hợp tác với các đối tác trong chuỗi cung ứng, công ty cũng đang phát triển các thiết bị và quy trình sản xuất khác để sản xuất SiC 200mm.
Monti nói: “Điều quan trọng là thúc đẩy nền kinh tế theo quy mô khi số lượng sản phẩm tăng lên. “Xây dựng bí quyết trong hệ sinh thái SiC nội bộ của chúng tôi trên toàn bộ chuỗi sản xuất, từ chất nền đến sản xuất quy mô lớn trước và sau, tăng cường tính linh hoạt của chúng tôi và cho phép chúng tôi kiểm soát tốt hơn việc cải thiện năng suất và chất lượng của tấm wafer.”
Hiện tại, ST sản xuất các sản phẩm SiC trên hai dây chuyền wafer 150mm, một ở Catania Ý và một ở Ang Mo Kio Singapore. Các địa điểm hậu thuẫn là ở Thâm Quyến và Bouskoura Morocco. Nó có kế hoạch xây dựng một nhà máy chất nền SiC mới và cung cấp hơn 40% chất nền SiC của mình vào năm 2024. Việc chuyển từ chất nền 150 lên 200mm gần như tăng gấp đôi số lượng thành phần trên mỗi tấm.
Các tấm mỏng Norrköping ban đầu sẽ được sử dụng để tạo mẫu cho các thiết bị điện.