"המעבר לפלים SiC של 200 מ"מ יביא יתרונות מהותיים ללקוחות הרכב והתעשייה שלנו כאשר הם מאיצים את המעבר לכיוון החשמול", אמר נשיא הרכב לרכב מרקו מונטי.
החברה טוענת לאיכות גבוהה עם פגמים מינימליים של פריקת גבישים באמצעות מומחיות בגידול מטילי SiC טֶכנוֹלוֹגִיָה פותח על ידי STMicroelectronics Silicon Carbide (לשעבר Norstel, שנרכשה ב-2019). בשיתוף פעולה עם שותפי שרשרת האספקה, היא גם מפתחת ציוד ותהליכי ייצור אחרים לייצור SiC של 200 מ"מ.
"זה חשוב בהנעת כלכלת גודל כאשר נפחי המוצרים עולים", אמר מונטי. "בניית ידע במערכת האקולוגית SiC הפנימית שלנו בכל שרשרת הייצור, החל מצעים ועד ייצור חזית ואחורי בקנה מידה גדול, מגבירה את הגמישות שלנו ומאפשרת לנו לשלוט טוב יותר בשיפור התשואה ואיכות הפלים."
כרגע ST מייצרת מוצרי SiC בשני קווי 150 מ"מ, אחד בקטניה איטליה והשני ב אנג מו קיו סינגפור. אתרי back-end נמצאים בשנג'ן ובוסקורה במרוקו. היא מתכננת לבנות מפעל מצע חדש של SiC ולמקור יותר מ -40% מצעי ה- SiC שלו פנימית עד שנת 2024. המעבר מ -150 ל -200 מ"מ מצעים כמעט מכפיל את מספר הרכיבים לפרוסות.
הוואפלים הראשוניים של Norrköping אמורים לשמש לאב טיפוס של התקני כוח.