Die Geräte der RGWxx65C-Serie (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR sind nach dem Automobilzuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten, wie z Elektro- und Elektrofahrzeuge (xEV).
Die Serie RGWxx65C nutzt die verlustarmen SiC-Schottky-Barrierendioden von ROHM IGBTDer Rückkopplungsblock ist eine Freilaufdiode, die nahezu keine Rückgewinnungsenergie hat und daher nur minimale Diodenschaltverluste aufweist. Da der Erholungsstrom im Einschaltmodus nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, wird außerdem der Einschaltverlust des IGBT erheblich reduziert.
Beide Effekte zusammen führen zu bis zu 67 % geringeren Verlusten gegenüber herkömmlichen IGBTs und 24 % geringeren Verlusten im Vergleich zu Super Junction Mosfets (SJ-MOSFETs) bei Verwendung in Fahrzeugladegeräten. Dieser Effekt bietet ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis und trägt gleichzeitig zu einem geringeren Stromverbrauch in Industrie- und Automobilanwendungen bei.
In den letzten Jahren haben globale Bemühungen zur Verringerung der Umweltbelastung und zur Erreichung einer klimaneutralen und dekarbonisierten Gesellschaft die Verbreitung von elektrifizierten Fahrzeugen (xEV) vorangetrieben. Gleichzeitig erfolgt derzeit die Diversifizierung der Leistungshalbleiter, die in verschiedenen Fahrzeugwechselrichter- und Wandlerschaltungen verwendet werden, um effizientere Systeme zu konfigurieren, zusammen mit der technologischen Innovation von beiden ultra-verlustarmen SiC-Leistungsbauelementen (dh SiC-MOSFETs, SiC-SBDs) und konventionelle Silizium-Leistungsbauelemente (zB IGBTs, Super-Junction-MOSFETs).
Um effektive Stromversorgungslösungen für ein breites Anwendungsspektrum bereitzustellen, konzentriert sich ROHM nicht nur auf Produkt und Technologie Entwicklung für branchenführende SiC-Leistungsgeräte, aber auch für Siliziumprodukte und Treiber-ICs.