Rohm планирует массовое производство гибридных IGBT со встроенным SiC-диодом с барьером Шоттки

Обновление: 17 декабря 2023 г.

Устройства серии RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR соответствуют автомобильному стандарту надежности AEC-Q101. Они подходят для автомобильных и промышленных приложений, работающих с большой мощностью, таких как фотоэлектрические кондиционеры, бортовые зарядные устройства и преобразователи постоянного / постоянного тока, используемые в электрические и электрифицированные автомобили (xEV).

В серии RGWxx65C используются SiC-диоды Шоттки с малыми потерями компании ROHM. IGBTБлок обратной связи представляет собой обратный диод, который практически не имеет энергии восстановления и, следовательно, минимальные потери на переключение диода. Кроме того, поскольку ток восстановления не должен обрабатываться IGBT в режиме включения, потери при включении IGBT значительно уменьшаются.

Оба эффекта вместе приводят к снижению потерь до 67% по сравнению с обычными IGBT и на 24% по сравнению с Super Junction. МОП-транзисторы (SJ MOSFET) при использовании в автомобильных зарядных устройствах. Этот эффект обеспечивает хорошие показатели затрат и способствует снижению энергопотребления в промышленных и автомобильных приложениях.

В последние годы глобальные усилия по снижению нагрузки на окружающую среду и достижению углеродно-нейтрального и декарбонизированного общества стимулировали распространение электрифицированных транспортных средств (xEV). В то же время диверсификация силовых полупроводников, используемых в различных схемах автомобильных инверторов и преобразователей, необходимых для настройки более эффективных систем, в настоящее время продолжается, наряду с технологическими инновациями в обоих силовых устройствах SiC со сверхнизкими потерями (то есть SiC MOSFETs, SiC SBD) и обычные кремниевые силовые устройства (например, IGBT, полевые МОП-транзисторы с суперпереходом).

Чтобы обеспечить эффективные энергетические решения для широкого спектра применений, ROHM фокусируется не только на продуктах и technology разработки для ведущих в отрасли силовых устройств на основе карбида кремния, а также для кремниевых продуктов и интегральных схем драйверов.