ロームは、SiCショットキーバリアダイオードを内蔵したハイブリッドIGBTを量産する予定です。

更新日: 17 年 2023 月 XNUMX 日

RGWxx65Cシリーズ(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHRデバイスは、AEC-Q101自動車信頼性規格の認定を受けています。これらは、太陽光発電パワーコンディショナー、車載充電器、DC / DCコンバーターなどの大電力を処理する自動車および産業用アプリケーションに適しています。電気自動車および電動車両(xEV)。

RGWxx65C シリーズは、ロームの低損失 SiC ショットキーバリアダイオードを採用しています。 IGBTのフィードバック ブロックはフリーホイーリング ダイオードとして機能し、回復エネルギーがほとんどないため、ダイオードのスイッチング損失が最小限に抑えられます。 さらに、リカバリ電流はターンオン モードで IGBT によって処理される必要がないため、IGBT のターンオン損失が大幅に減少します。

両方の効果を合わせると、従来のIGBTよりも最大67%低い損失、スーパージャンクションと比較して24%低い損失が得られます。 MOSFET (SJ MOSFET)車両充電器で使用する場合。 この効果により、優れたコストパフォーマンスが得られると同時に、産業用および自動車用アプリケーションの消費電力が削減されます。

近年、環境への負担を軽減し、カーボンニュートラルで脱炭素化された社会を実現するための世界的な取り組みが、電動車両(xEV)の普及に拍車をかけています。 同時に、より効率的なシステムを構成するために必要なさまざまな車両インバーターおよびコンバーター回路で使用されるパワー半導体の多様化が現在進行中であり、両方の超低損失SiCパワーデバイス(すなわち、SiC MOSFET、SiC SBD)の技術革新があります。および従来のシリコンパワーデバイス(IGBT、スーパージャンクションMOSFETなど)。

ロームは、幅広いアプリケーションに効果的な電源ソリューションを提供するために、製品だけでなく、 テクノロジー 業界をリードする SiC パワーデバイスだけでなく、シリコン製品やドライバー IC の開発も行っています。