Los dispositivos de la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR están calificados bajo el estándar de confiabilidad automotriz AEC-Q101. Son adecuados para aplicaciones automotrices e industriales que manejan grandes potencias, como acondicionadores de energía fotovoltaica, cargadores integrados y convertidores CC / CC utilizados en vehículos eléctricos y electrificados (xEV).
La serie RGWxx65C utiliza diodos de barrera Schottky de SiC de baja pérdida de ROHM en el IGBTEl bloque de retroalimentación es un diodo de marcha libre que casi no tiene energía de recuperación y, por lo tanto, una pérdida mínima de conmutación del diodo. Además, dado que la corriente de recuperación no tiene que ser manejada por el IGBT en el modo de encendido, la pérdida de encendido del IGBT se reduce significativamente.
Ambos efectos juntos dan como resultado hasta un 67% menos de pérdida en comparación con los IGBT convencionales y un 24% menos de pérdida en comparación con Super Junction. mosfets (MOSFET SJ) cuando se utiliza en cargadores de vehículos. Este efecto proporciona un buen rendimiento de costes al tiempo que contribuye a un menor consumo de energía en aplicaciones industriales y automotrices.
En los últimos años, los esfuerzos globales para reducir la carga ambiental y lograr una sociedad descarbonizada y sin emisiones de carbono han estimulado la proliferación de vehículos electrificados (xEV). Al mismo tiempo, se está llevando a cabo la diversificación de los semiconductores de potencia utilizados en varios circuitos de convertidores e inversores de vehículos necesarios para configurar sistemas más eficientes, junto con la innovación tecnológica de ambos dispositivos de potencia de SiC de pérdida ultrabaja (es decir, MOSFET de SiC, SBD de SiC) y dispositivos de potencia de silicio convencionales (por ejemplo, IGBT, MOSFET Super Junction).
Para proporcionar soluciones de energía efectivas para una amplia gama de aplicaciones, ROHM se centra no solo en productos y la tecnología desarrollo para dispositivos de potencia de SiC líderes en la industria, pero también para productos de silicio y circuitos integrados de controladores.