Peranti RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR berkelayakan di bawah standard kebolehpercayaan automotif AEC-Q101. Ia sesuai untuk aplikasi automotif dan industri yang mengendalikan kuasa besar, seperti perapi kuasa fotovoltaik, pengecas onboard, dan penukar DC / DC yang digunakan dalam kenderaan elektrik dan elektrik (xEV).
Siri RGWxx65C menggunakan diod penghalang SiC Schottky kerugian rendah ROHM dalam IGBTblok maklum balas sebagai diod bebas roda yang hampir tiada tenaga pemulihan dan dengan itu kehilangan pensuisan diod yang minimum. Selain itu, memandangkan arus pemulihan tidak perlu dikendalikan oleh IGBT dalam mod hidupkan, kehilangan hidupan IGBT dikurangkan dengan ketara.
Kedua-dua kesan tersebut menghasilkan kerugian sehingga 67% lebih rendah berbanding IGBT konvensional dan kerugian 24% lebih rendah berbanding dengan Super Junction mosfet (SJ MOSFET) apabila digunakan dalam pengecas kenderaan. Kesan ini memberikan prestasi kos yang baik sambil menyumbang kepada penggunaan tenaga yang lebih rendah dalam aplikasi industri dan automotif.
Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, usaha global untuk mengurangkan beban alam sekitar dan mencapai masyarakat yang tidak berkarbon dan tidak berkarbon telah mendorong pertumbuhan kenderaan elektrik (xEV). Pada masa yang sama, kepelbagaian semikonduktor kuasa yang digunakan dalam pelbagai litar penyongsang kenderaan dan penukar yang diperlukan untuk mengkonfigurasi sistem yang lebih cekap sedang dijalankan, bersama dengan inovasi teknologi kedua-dua peranti kuasa SiC ultra-kerugian rendah (iaitu SiC MOSFETs, SiC SBD) dan peranti kuasa silikon konvensional (contohnya IGBT, Super Junction MOSFET).
Untuk menyediakan penyelesaian kuasa yang berkesan untuk pelbagai aplikasi, ROHM memfokuskan bukan sahaja pada produk dan teknologi pembangunan untuk peranti kuasa SiC yang menerajui industri, tetapi untuk produk silikon dan IC pemacu juga.