Les appareils de la série RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR sont qualifiés selon la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. Ils conviennent aux applications automobiles et industrielles qui gèrent de grandes puissances, telles que les conditionneurs d'alimentation photovoltaïque, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC/DC utilisés dans véhicules électriques et électrifiés (xEV).
La série RGWxx65C utilise les diodes barrière SiC Schottky à faibles pertes de ROHM dans le IGBTLe bloc de rétroaction de est une diode de roue libre qui n'a presque aucune énergie de récupération et donc une perte de commutation de diode minimale. De plus, étant donné que le courant de récupération ne doit pas être géré par l'IGBT en mode de mise sous tension, la perte à la mise sous tension de l'IGBT est considérablement réduite.
Les deux effets combinés entraînent une perte jusqu'à 67 % inférieure par rapport aux IGBT conventionnels et une perte inférieure de 24 % par rapport à Super Junction mosfet (MOSFET SJ) lorsqu'il est utilisé dans des chargeurs de véhicule. Cet effet offre de bonnes performances de coût tout en contribuant à une consommation d'énergie inférieure dans les applications industrielles et automobiles.
Ces dernières années, les efforts mondiaux pour réduire la charge environnementale et parvenir à une société neutre en carbone et décarbonée ont stimulé la prolifération des véhicules électrifiés (xEV). Dans le même temps, la diversification des semi-conducteurs de puissance utilisés dans divers circuits d'onduleurs et de convertisseurs de véhicules nécessaires pour configurer des systèmes plus efficaces est actuellement en cours, ainsi que l'innovation technologique des deux dispositifs de puissance SiC à ultra-faible perte (c'est-à-dire les MOSFET SiC, les SBD SiC). et les dispositifs d'alimentation au silicium conventionnels (par exemple les IGBT, les MOSFET à super jonction).
Pour fournir des solutions d'alimentation efficaces pour une large gamme d'applications, ROHM se concentre non seulement sur les produits et sans souci développement pour les dispositifs d'alimentation SiC de pointe, mais également pour les produits en silicium et les circuits intégrés de commande.