(Quelle; Röhm Halbleiter)
Röhm Halbleiter hat die Hybridserie RGWxx65C vorgestellt IGBTs mit einer integrierten 650-V-Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrierediode, die gemäß dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert ist. Diese Hybrid-IGBTs reduzieren den Einschaltverlust. Die Geräte zielen auf Automobil- und Industrieanwendungen ab, die hohe Leistungen verarbeiten, wie z. B. Photovoltaik-Stromaufbereiter, Bordladegeräte und DC/DC-Wandler, die in Elektro- und Elektrofahrzeugen (xEVs) verwendet werden.
Die RGWxx65C-Serie (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR und RGW00TS65CHR) verwendet Rohms verlustarme SiC-Schottky-Dioden im IGBT-Rückkopplungsblock als Freilaufdiode, die fast keine Freilaufenergie hat, was sich in minimalen Diodenschaltverlusten niederschlägt. Da der Erholungsstrom im Einschaltmodus nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, werden zudem die Einschaltverluste des IGBT deutlich reduziert, so das Unternehmen.
Diese Eigenschaften führen zu bis zu 67 % geringeren Verlusten gegenüber herkömmlichen IGBTs und zu 24 % geringeren Verlusten im Vergleich zu Superjunction Mosfets (SJ-MOSFETs) bei Verwendung in Fahrzeugladegeräten, die laut Rohm ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis und einen geringeren Stromverbrauch bieten.
Vergleich der Verluste mit herkömmlichen IGBT- und Superjunction-MOSFETs (Quelle: Rohm Semiconductor)
Die Hybrid-IGBTs, untergebracht in den Gehäusen TO-247N und TO-263L (LPDL), stehen zur Bemusterung zur Verfügung. Die Massenproduktion wird im Dezember 2021 erwartet. Sie sind über autorisierte Online-Händler wie Digi-Key, Farnell und Mouser erhältlich. Informationen zur Designunterstützung finden Sie hier.
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