(Source ; Rohm Semi-conducteurs)
Rohm Semi-conducteurs a présenté la série RGWxx65C d'hybrides IGBTIl est équipé d'une diode barrière Schottky en carbure de silicium (SiC) 650 V intégrée, qualifiée selon la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. Ces IGBT hybrides réduisent les pertes de commutation à la mise sous tension. Les appareils ciblent les applications automobiles et industrielles qui gèrent une puissance élevée, telles que les conditionneurs d'énergie photovoltaïques, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC/DC utilisés dans les véhicules électriques et électrifiés (xEV).
La série RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR et RGW00TS65CHR) utilise les diodes barrière SiC Schottky à faible perte de Rohm dans le bloc de rétroaction IGBT en tant que diode de roue libre qui n'a presque aucune énergie de récupération, ce qui se traduit par une perte de commutation de diode minimale. De plus, étant donné que le courant de récupération n'a pas à être géré par l'IGBT en mode d'activation, la perte d'activation de l'IGBT est considérablement réduite, a déclaré la société.
Ces caractéristiques se traduisent par une perte jusqu'à 67 % inférieure par rapport aux IGBT conventionnels et une perte inférieure de 24 % par rapport à la superjonction mosfet (MOSFET SJ) lorsqu'ils sont utilisés dans des chargeurs de véhicules, offrant de bonnes performances en termes de coût et une consommation d'énergie réduite, selon Rohm.
Comparaison des pertes par rapport aux IGBT traditionnels et aux MOSFET à superjonction (Source : Rohm Semiconductor)
Les IGBT hybrides, logés dans les boîtiers TO-247N et TO-263L (LPDL), sont disponibles pour l'échantillonnage. La production en série est prévue en décembre 2021. Ils sont disponibles auprès de distributeurs en ligne autorisés, notamment Digi-Key, Farnell et Mouser. Les informations d'aide à la conception sont disponibles ici.
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