#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Neue Mitsubishi 3. Version HVIGBT (Hoch Spannung Isoliertes Gate Bipolar Transistor) Module 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
CM1200HC-66H-Funktionen
● IC………………………………………………………. 1200A
● VCES ………………………………………………. 3300 V
● Isolierter Typ
● 1-Element in einer Packung
● AISiC-Grundplatte
VCES Kollektor-Emitter Spannung VGE = 0 V, Tj = 25 °C 3300 V
VGES Gate-Emitter-Spannung VCE = 0 V, Tj = 25 °C ±20 V
IC Kollektorstrom TC = 100°C 1200A
ICM-Kollektorstromimpuls 2400A
PC (Hinweis 3) Maximale Verlustleistung TC = 25 °C, IGBT-Teil 14700 W
Tj Sperrschichttemperatur –40 ~ +150 °C
Oberseite Betriebstemperatur –40 ~ +125 °C
Tstg Lagertemperatur –40 ~ +125 °C
Viso Isolationsspannung RMS, sinusförmig, f = 60Hz, t = 1min. 6000 V
tpsc Maximal kurz Schaltung Impulsbreite VCC = 2200 V, VCES ≤ 3300 V, VGE = 15 V Tj = 125 °C 10 µs
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN
ICES Kollektor-Abschaltstrom VCE = VCES, VGE = 0 V, Tj = 25 °C 15 mA
VGE(th) Gate-Emitter-Schwellenspannung IC = 120 mA, VCE = 10 V, Tj = 25 °C 5.0–7.0 V
IGES Gate-Leckstrom VGE = VGES, VCE = 0 V, Tj = 25 °C 0.5 mA
Cies Eingangskapazität VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Gate-Gesamtladung VCC = 1650 V, IC = 1200 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C 8.6 µC
Befestigungsdrehmoment M6: Befestigungsschraube 3.0~6.0 mm
Masse 1.5 kg