#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Yeni Mitsubishi 3. Sürüm HVIGBT (Yüksek Voltaj Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistor) Modüller 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
CM1200HC-66H Özellikleri
● IC………………………………………………………. 1200A
● VCES ………………………………………………. 3300V
● Yalıtımlı Tip
● Bir Pakette 1 öğe
● AISiC Taban Plakası
VCES Toplayıcı-yayıcı Voltaj VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Geçit verici gerilimi VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Kolektör akımı TC = 100°C 1200A
ICM Kolektör akımı Darbe 2400A
PC (Not 3) Maksimum güç dağıtımı TC = 25°C, IGBT kısmı 14700W
Tj Bağlantı sıcaklığı –40 ~ +150 °C
Üst Çalışma sıcaklığı –40 ~ +125 °C
Tstg Depolama sıcaklığı –40 ~ +125 °C
Viso İzolasyon voltajı RMS, sinüzoidal, f = 60Hz, t = 1 dak. 6000V
tpsc Maksimum kısa devre darbe genişliği VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10μs
ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER
ICES Kolektör kesme akımı VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Geçit verici eşik voltajı IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES Geçidi kaçak akımı VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Giriş kapasitansı VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Toplam kapı yükü VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Montaj torku M6: Montaj vidası 3.0~6.0 mm
Kütle 1.5kg