#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Новый Mitsubishi 3-й версии HVIGBT (Высокая напряжение Изолированные ворота биполярные Транзистор) Модули 1200А/3300В/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
Особенности CM1200HC-66H
● IC……………………………………………………………. 1200А
● ВКЭС ………………………………………………. 3300В
● Изолированный тип
● 1 элемент в упаковке
● Опорная плита AISiC
ВКЭС Коллектор-эмиттер напряжение VGE = 0В, Tj = 25°C 3300В
VGES Напряжение затвор-эмиттер VCE = 0В, Tj = 25°C ±20В
IC Ток коллектора TC = 100°C 1200A
Импульс тока коллектора ICM 2400A
PC (Примечание 3) Максимальная рассеиваемая мощность TC = 25°C, часть IGBT 14700 Вт
Tj Температура перехода –40 ~ +150 °C
Верх Рабочая температура –40 ~ +125 °C
Tstg Температура хранения –40 ~ +125 °C
Viso Напряжение изоляции среднеквадратичное, синусоидальное, f = 60 Гц, t = 1 мин. 6000В
tpsc Максимальная короткая схема ширина импульса VCC = 2200 В, VCES ≤ 3300 В, VGE = 15 В Tj = 125°C 10 мкс
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ICES Ток отсечки коллектора VCE = VCES, VGE = 0 В, Tj = 25°C 15 мА
VGE(th) Пороговое напряжение затвор-эмиттер IC = 120 мА, VCE = 10 В, Tj = 25°C 5.0~7.0 В
IGES Ток утечки затвора VGE = VGES, VCE = 0 В, Tj = 25°C 0.5 мА
Cies Входная емкость VCE = 10 В, f = 100 кГц 180 нФ
Qg Общий заряд затвора VCC = 1650 В, IC = 1200 А, VGE = 15 В, Tj = 25°C 8.6 мкКл
Момент затяжки M6: Крепежный винт 3.0~6.0 мм
Масса 1.5 кг