#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H ใหม่ Mitsubishi 3rd-Version HVIGBT (สูง แรงดันไฟฟ้า ฉนวนเกทไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์) โมดูล 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
คุณสมบัติ CM1200HC-66H
● IC………………………………………………………. 1200ก
● วีซีเอส ……………………………………………. 3300V
● ประเภทฉนวน
● 1 องค์ประกอบในแพ็ค
● แผ่นฐาน AISiC
VCES ตัวสะสม-ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES แรงดันขาออก VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC กระแสสะสม TC = 100°C 1200A
ICM Collector กระแสพัลส์ 2400A
PC (หมายเหตุ 3) การกระจายพลังงานสูงสุด TC = 25°C, IGBT ส่วน 14700W
อุณหภูมิทางแยก Tj –40 ~ +150 °C
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด –40 ~ +125 °C
Tstg อุณหภูมิในการจัดเก็บ –40 ~ +125 °C
Viso แยกแรงดันไฟฟ้า RMS, ไซน์, f = 60Hz, t = 1 นาที 6000V
tpsc สั้นสูงสุด วงจรไฟฟ้า ความกว้างพัลส์ VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
ลักษณะไฟฟ้า
ICES กระแสไฟสะสม VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) แรงดันธรณีประตู-อิมิตเตอร์ IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES กระแสไฟรั่วของเกท VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies ความจุอินพุต VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg ค่าเกตรวม VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
แรงบิดติดตั้ง M6 : สกรูยึด 3.0~6.0 มม
นน.1.5กก