#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Nuevo Mitsubishi 3.ª versión HVIGBT (Alto voltaje Puerta aislada Bipolar Transistor) Módulos 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
Características de CM1200HC-66H
● IC…………………………………………………………. 1200A
● VCE ………………………………………………. 3300V
● Tipo aislado
● 1 elemento en un paquete
● Placa base AISiC
Colector-emisor VCES voltaje VGE = 0 V, Tj = 25 °C 3300 V
VGES Tensión de emisor de puerta VCE = 0 V, Tj = 25 °C ±20 V
IC Corriente colector TC = 100°C 1200A
ICM Colector de corriente Pulse 2400A
PC (Nota 3) Disipación de potencia máxima TC = 25 °C, pieza IGBT 14700 W
Tj Temperatura de unión –40 ~ +150 °C
Superior Temperatura de funcionamiento –40 ~ +125 °C
Tstg Temperatura de almacenamiento –40 ~ +125 °C
Tensión de aislamiento Viso RMS, sinusoidal, f = 60 Hz, t = 1 min. 6000V
tpsc Corto máximo circuito ancho de pulso VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS
Corriente de corte del colector ICES VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Tensión de umbral de emisor de puerta IC = 120 mA, VCE = 10 V, Tj = 25 °C 5.0~7.0 V
IGES Corriente de fuga de puerta VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Capacitancia de entrada VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Carga total de puerta VCC = 1650 V, IC = 1200 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C 8.6 µC
Par de montaje M6: Tornillo de montaje 3.0~6.0 mm
Masa 1.5 kg