#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Nieuwe Mitsubishi 3e versie HVIGBT (Hoog spanning Geïsoleerde poort bipolair Transistor) Modules 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
CM1200HC-66H Kenmerken
● IC……………………………………………………. 1200A
● VCES ……………………………………………. 3300V
● Geïsoleerd type
● 1-element in een verpakking
● AISiC-grondplaat
VCES Collector-zender spanning VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Gate-emitterspanning VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Collectorstroom TC = 100°C 1200A
ICM Collectorstroom Puls 2400A
PC (Opmerking 3) Maximale vermogensdissipatie TC = 25°C, IGBT deel 14700W
Tj Junctietemperatuur –40 ~ +150 °C
Boven Bedrijfstemperatuur –40 ~ +125 °C
Tstg Opslagtemperatuur –40 ~ +125 °C
Viso Isolatiespanning RMS, sinusvormig, f = 60Hz, t = 1min. 6000V
tpsc Maximaal kort circuit pulsbreedte VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
ELEKTRISCHE EIGENSCHAPPEN
ICES Collectoruitschakelstroom VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Gate-emitter drempelspanning IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES Poortlekstroom VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Ingangscapaciteit VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Totale poortlading VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Montagekoppel M6 : Montageschroef 3.0~6.0 mm
Massa 1.5 kg