#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Nuova Mitsubishi 3a versione HVIGBT (Alta voltaggio Cancello isolato bipolare Transistor) Moduli 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
CM1200HC-66H Caratteristiche
● IC………………………………………. 1200A
● VCES ………………………………………………. 3300 V
● Tipo isolato
● 1 elemento in un pacchetto
● Piastra base AISiC
VCES Collettore-emettitore voltaggio VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Tensione gate-emettitore VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Corrente collettore TC = 100°C 1200A
Impulso di corrente del collettore ICM 2400A
PC (Nota 3) Massima potenza dissipata TC = 25°C, parte IGBT 14700W
Tj Temperatura di giunzione –40 ~ +150 °C
Alto Temperatura di esercizio –40 ~ +125 °C
Tstg Temperatura di stoccaggio –40 ~ +125 °C
Viso Tensione di isolamento RMS, sinusoidale, f = 60Hz, t = 1min. 6000 V
tpsc Massimo breve circuito ampiezza impulso VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
CARATTERISTICHE ELETTRICHE
ICES Corrente di interruzione collettore VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Tensione di soglia gate-emettitore IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
Corrente di dispersione gate IGES VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Capacità di ingresso VCE = 10 V, f = 100 kHz 180 nF
Qg Carica totale del gate VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Coppia di montaggio M6 : Vite di montaggio 3.0~6.0 mm
Massa 1.5 kg