#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Nouveau Mitsubishi 3ème version HVIGBT (Haute Tension Porte Isolée Bipolaire Transistor) Modules 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
Caractéristiques du CM1200HC-66H
● IC………………………………………………………. 1200A
● VCE…………………………………………………. 3300V
● Type isolé
● 1 élément dans un Pack
● Plaque de base AISiC
VCES Collecteur-émetteur Tension VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Tension grille-émetteur VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Courant collecteur TC = 100°C 1200A
ICM Collecteur courant Impulsion 2400A
PC (Remarque 3) Dissipation de puissance maximale TC = 25°C, partie IGBT 14700W
Tj Température de jonction –40 ~ +150 °C
Haut Température de fonctionnement –40 ~ +125 °C
Tstg Température de stockage –40 ~ +125 °C
Viso Tension d'isolation RMS, sinusoïdale, f = 60Hz, t = 1min. 6000V
tpsc Maximum court circuit largeur d'impulsion VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
ICES Courant de coupure du collecteur VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Tension de seuil grille-émetteur IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES Courant de fuite de grille VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Capacité d'entrée VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Charge totale de grille VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Couple de montage M6 : Vis de montage 3.0~6.0 mm
Masse 1.5kg