#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Novo Mitsubishi 3ª versão HVIGBT (Alto Voltagem Porta Isolada Bipolar Transistor) Módulos 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
Recursos do CM1200HC-66H
● IC……………………………………………………. 1200A
● VCES ……………………………………………. 3300V
● Tipo isolado
● 1 elemento em um pacote
● Placa de base AISiC
Coletor-emissor VCES Voltagem VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Tensão do emissor de porta VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Corrente do coletor TC = 100°C 1200A
Pulso atual do coletor ICM 2400A
PC (Nota 3) Dissipação máxima de energia TC = 25°C, parte IGBT 14700W
Temperatura da junção Tj –40 ~ +150 °C
Temperatura operacional superior –40 ~ +125 °C
Tstg Temperatura de armazenamento –40 ~ +125 °C
Viso Tensão de isolamento RMS, senoidal, f = 60Hz, t = 1min. 6000V
tpsc Máximo curto o circuito largura de pulso VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Corrente de corte do coletor ICES VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Tensão limite do emissor de porta IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES Corrente de fuga do portão VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Capacitância de entrada VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Carga total do gate VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Torque de montagem M6: Parafuso de montagem 3.0~6.0 mm
Massa 1.5kg