#CM1200HC-66H 미쓰비시 CM1200HC-66H 신형 미쓰비시 3차 버전 HVIGBT (높은 전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 모듈 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
CM1200HC-66H 특징
● IC.................................................................. 1200A
● VCES .................................................................. 3300V
● 절연형
● 팩의 1개 요소
● AISiC 베이스플레이트
VCES 컬렉터-이미터 전압 VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES 게이트-이미터 전압 VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC 콜렉터 전류 TC = 100°C 1200A
ICM 컬렉터 전류 펄스 2400A
PC(주 3) 최대 전력 손실 TC = 25°C, IGBT 부품 14700W
Tj 접합 온도 –40 ~ +150 °C
최고 작동 온도 –40 ~ +125 °C
Tstg 보관 온도 –40 ~ +125 °C
Viso 절연 전압 RMS, 정현파, f = 60Hz, t = 1분. 6000V
tpsc 최대 쇼트 회로 펄스 폭 VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
전기적 특성
ICES 콜렉터 차단 전류 VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) 게이트-이미터 임계 전압 IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES 게이트 누설 전류 VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5mA
Cies 입력 커패시턴스 VCE = 10V, f = 100kHz 180nF
Qg 총 게이트 전하 VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6µC
장착 토크 M6 : 장착 나사 3.0~6.0 mm
질량 1.5kg