#CM1200HC-66H Mitsubishi CM1200HC-66H Mitsubishi HV Phiên Bản Thứ 3 MớiIGBT (Cao Vôn Cổng cách điện lưỡng cực Transistor) Mô-đun 1200A/3300V/IGBT/1U;, #CM1200HC_66H
Tính năng CM1200HC-66H
● IC…………………….. 1200A
● VCES………………………………………………. 3300V
● Loại cách điện
● 1 phần tử trong Gói
● Tấm đế AISiC
Bộ thu-phát VCES Vôn VGE = 0V, Tj = 25°C 3300V
VGES Điện áp cổng-bộ phát VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC Dòng thu TC = 100°C 1200A
Bộ thu ICM xung hiện tại 2400A
PC (Lưu ý 3) Công suất tiêu thụ tối đa TC = 25°C, phần IGBT 14700W
Tj Nhiệt độ giao nhau –40 ~ +150 °C
Nhiệt độ hoạt động hàng đầu –40 ~ +125 °C
Tstg Nhiệt độ bảo quản –40 ~ +125 °C
Viso Điện áp cách ly RMS, hình sin, f = 60Hz, t = 1 phút. 6000V
tpsc Ngắn tối đa mạch độ rộng xung VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỪ
Dòng điện cắt ICES Collector VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) Điện áp ngưỡng cổng-bộ phát IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
Dòng điện rò cổng IGES VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies Điện dung đầu vào VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg Tổng điện tích cổng VCC = 1650V, IC = 1200A, VGE = 15V, Tj = 25°C 8.6 µC
Mômen lắp M6 : Vít lắp 3.0~6.0 mm
Khối lượng 1.5kg