#CM1200HC-66H 三菱 CM1200HC-66H 新型三菱3代目HVIGBT （高い 電圧 絶縁ゲートバイポーラ トランジスタ) モジュール 1200A/3300V/IGBT/1U;、#CM1200HC_66H
CM1200HC-66Hの特長
● IC……………………………………………………。 1200A
●VCES ………………………………………………。 3300V
●絶縁タイプ
●パック内の1要素
● AISiC ベースプレート
VCES コレクタエミッタ 電圧 VGE=0V、Tj=25℃ 3300V
VGES ゲート・エミッタ間電圧 VCE = 0V, Tj = 25°C ±20 V
IC コレクタ電流 TC=100℃ 1200A
ICM コレクタ電流 パルス 2400A
PC (Note 3) 最大許容損失 TC = 25°C、IGBT 部 14700W
Tj ジャンクション温度 –40 ~ +150 °C
トップ 動作温度 –40 ~ +125 °C
Tstg 保存温度 –40 ~ +125 °C
Viso 絶縁電圧 RMS、正弦波、f = 60Hz、t = 1 分。 6000V
tpsc マキシマムショート 回路 パルス幅 VCC = 2200V, VCES ≤ 3300V, VGE = 15V Tj = 125°C 10µs
電気的特性
ICES コレクタしゃ断電流 VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C 15 mA
VGE(th) ゲートエミッタ閾値電圧 IC = 120mA, VCE = 10V, Tj = 25°C 5.0~7.0V
IGES ゲートリーク電流 VGE = VGES, VCE = 0V, Tj = 25°C 0.5 mA
Cies 入力容量 VCE = 10V, f = 100kHz 180 nF
Qg 総ゲート電荷 VCC = 1650V、IC = 1200A、VGE = 15V、Tj = 25°C 8.6 µC
取付トルク M6：取付ねじ 3.0～6.0mm
質量 1.5kg