. IGBT pasaran dijangka berkembang pada CAGR 7.5% 2020-26 untuk mencapai $ 8.4 bilion pada tahun 2026, kata Yole Developpement, dengan segmen modul IGBT kepada mewakili 81% daripada jumlah pasaran pada tahun 2026 yang didorong oleh penggunaan EV / HEV.
Lebih daripada 80% pasaran akan tertumpu pada nominal 600V-1,200V voltan antara 2026.
Pada peringkat sistem, tahap voltan IGBT baru meliputi julat voltan baru: misalnya penyongsang EV bergerak dari 400V ke 800V, dan penyongsang PV bergerak ke 1,500V.
Penganalisis juga melihat banyak inovasi teknikal: generasi baru IGBT mati, kecekapan yang lebih tinggi dan kos yang lebih rendah. Pembungkusan mencari kebolehpercayaan yang tinggi, kos yang lebih rendah dan sambungan elektrik induktansi yang lebih rendah.
IGBT maju dalam pengembangan pembungkusan SiC. Pada tahap wafer, penganalisis melihat tren pembuatan wafer IGBT 300mm dan peralihan ke bahan silikon MCZ.
Pengilang IGBT tersebar di seluruh dunia, tetapi Yole melihat juga pertumbuhan penting pengeluar IGBT China, baik pengecoran dan IDM.
Semua pemain utama melabur dalam peningkatan kapasiti pembuatan IGBT. Kedudukan pembekal utama IGBT hampir tidak berubah. 3 teratas adalah: Infineon, Mitsubishi dan ON Semi.
Sebagai tambahan kepada EV / HEV, modul kuasa IGBT dan IGBT boleh didapati dalam aplikasi seperti pemacu motor industri, turbin angin, pemasangan fotovoltaik, kereta api, UPS, infrastruktur pengecasan EV dan peralatan rumah.
Pada tahun 2020, segmen pasaran IGBT terbesar adalah aplikasi industri dan perkakas rumah.
Mereka diikuti oleh EV / HEV, yang mewakili pasaran $ 509 juta pada tahun 2020 dan yang akan berkembang dengan CAGR 23% yang mengagumkan antara tahun 2020 dan 2026.
Ini disebabkan oleh peralihan dari kenderaan ICE ke EV / HEV, yang didorong oleh sasaran pemerintah untuk pengurangan pelepasan CO2.
Peralihan ini semakin dipercepat, disebabkan oleh rancangan tindakan Presiden Biden untuk AS dan juga inisiatif iklim EU baru-baru ini di mana semua kereta baru yang didaftarkan di Eropah dari tahun 2035 akan menjadi pelepasan sifar.
Oleh itu, bahagian segmen EV / HEV akan meningkat dua kali ganda pada tahun 2026.
"Infrastruktur pengisian juga dipengaruhi oleh keputusan pemerintah kerana penggunaan pengecas sangat penting untuk pengembangan penggunaan kenderaan elektrik," kata Abdoulaye Ly dari Yole, "Walaupun infrastruktur pengisian masih merupakan pasar kecil untuk IGBT, diharapkan dapat meningkat lebih dari 300% dalam lima tahun mendatang."
Pengilang IGBT terbesar termasuk Infineon, Littelfuse danvFuji Electric menawarkan modul kuasa IGBT dan IGBT yang berbeza.
IDM besar yang disatukan secara menegak ke dalam sistem menawarkan pada dasarnya modul IGBT termasuk Danfoss, Mitsubishi, CRRC dan lain-lain.
Sebilangan besar syarikat yang meletakkan produk mereka pada julat voltan rendah juga menawarkan IGBT yang berbeza.
Untuk mensasarkan pasaran IGBT terbesar, semua pengeluar menawarkan komponen 600V - 1,200V, dengan rangkaian produk baru (dari 800 hingga 1,000V). Beberapa pengeluar termasuk Mitsubishi, Toshiba dan ON Semi, mencari pembezaan dari pesaing dengan menawarkan peranti IGBT dengan tahap voltan nominal "perantara" - seperti 1,300V, 1,350V, 2,000V
Pengilang IGBT China berkembang pesat dalam pembangunan, pengeluaran dan kapasiti.
Oleh kerana kapasiti fab 200mm untuk peranti kuasa relatif penuh, pembuatan pada wafer 300mm membolehkan kapasiti pengeluaran peranti yang lebih tinggi untuk memenuhi keperluan pasaran IGBT yang semakin meningkat.
Tidak menghairankan bahawa untuk meningkatkan jumlah pengeluaran dalam 10 tahun ke depan semua pemain utama melabur dalam pengembangan kapasiti pembuatan IGBT, kerana peralihan ke wafer 300mm memungkinkan struktur kos yang lebih baik untuk menghadapi persaingan yang semakin meningkat dengan pengeluar China.
Walau bagaimanapun, terdapat beberapa pemain China yang juga berkembang hingga 300mm dengan memperbesar kilang mereka sendiri seperti HHGrace dan CanSemi, atau dengan pengambilalihan syarikat asing.