Sản phẩm IGBT thị trường dự kiến sẽ tăng trưởng với tốc độ CAGR 7.5% trong giai đoạn 2020-26 Yole Developmentpement cho biết sẽ đạt 8.4 tỷ USD vào năm 2026 với phân khúc mô-đun IGBT đến đại diện cho 81% tổng thị trường vào năm 2026 nhờ việc áp dụng EV/HEV.
Hơn 80% thị trường sẽ tập trung vào danh nghĩa 600V-1,200V Vôn phạm vi vào năm 2026.
Ở cấp độ hệ thống, các mức điện áp IGBT mới đang bao gồm các dải điện áp mới: ví dụ: biến tần EV chuyển từ 400V lên 800V và biến tần PV chuyển sang 1,500V.
Các nhà phân tích cũng nhận thấy nhiều cải tiến kỹ thuật: khuôn IGBT thế hệ mới, hiệu suất cao hơn và chi phí thấp hơn. Bao bì đang tìm kiếm các kết nối điện có độ tin cậy cao, chi phí thấp hơn và độ tự cảm thấp hơn.
IGBT đang tiến tới phát triển bao bì SiC. Ở cấp độ tấm bán dẫn, các nhà phân tích nhận thấy xu hướng sản xuất tấm bán dẫn IGBT 300mm và sự chuyển đổi sang vật liệu silicon MCZ.
Các nhà sản xuất IGBT có mặt khắp nơi trên thế giới, nhưng Yole cũng nhận thấy sự tăng trưởng quan trọng của các nhà sản xuất IGBT Trung Quốc, cả các xưởng đúc và IDM.
Tất cả các công ty lớn đang đầu tư vào việc tăng năng lực sản xuất IGBT. Thứ hạng của các nhà cung cấp IGBT chính hầu như không thay đổi. Top 3 là: Infineon, Mitsubishi và ON Semi.
Ngoài EV/HEV, các IGBT rời rạc và mô-đun nguồn IGBT có thể được tìm thấy trong các ứng dụng như bộ truyền động động cơ công nghiệp, tua-bin gió, lắp đặt quang điện, tàu hỏa, UPS, cơ sở hạ tầng sạc EV và thiết bị gia dụng.
Năm 2020, phân khúc thị trường IGBT lớn nhất là ứng dụng công nghiệp và thiết bị gia dụng.
Theo sau chúng là EV/HEV, đại diện cho thị trường trị giá 509 triệu USD vào năm 2020 và sẽ tăng trưởng với tốc độ CAGR ấn tượng 23% từ năm 2020 đến năm 2026.
Điều này là do quá trình chuyển đổi từ phương tiện ICE sang xe EV/HEV đang được thúc đẩy mạnh mẽ bởi mục tiêu giảm lượng khí thải CO2 của chính phủ.
Quá trình chuyển đổi này đang được đẩy nhanh hơn nữa do các kế hoạch hành động của Tổng thống Biden đối với Hoa Kỳ cũng như sáng kiến khí hậu gần đây của EU, trong đó tất cả ô tô mới được đăng ký ở Châu Âu từ năm 2035 sẽ không phát thải.
Do đó, thị phần phân khúc EV/HEV sẽ tăng hơn gấp đôi vào năm 2026.
Abdoulaye Ly của Yole cho biết: “Cơ sở hạ tầng sạc cũng bị ảnh hưởng bởi các quyết định của chính phủ vì việc triển khai các bộ sạc là rất quan trọng để mở rộng việc sử dụng xe điện”. “Mặc dù cơ sở hạ tầng sạc vẫn là một thị trường nhỏ cho IGBT, nhưng nó dự kiến sẽ tăng hơn 300% trong XNUMX năm tới.”
Các nhà sản xuất IGBT lớn nhất bao gồm Infineon, Littelfuse vàvFuji Electric cung cấp cả IGBT rời và mô-đun nguồn IGBT.
Các IDM lớn được tích hợp theo chiều dọc vào hệ thống cung cấp các mô-đun IGBT cơ bản bao gồm Danfoss, Mitsubishi, CRRC và những người khác.
Hầu hết các công ty định vị sản phẩm của họ ở dải điện áp thấp hơn cũng cung cấp IGBT riêng biệt.
Để nhắm tới thị trường IGBT lớn nhất, tất cả các nhà sản xuất đều cung cấp linh kiện 600V – 1,200V, với nhiều dòng sản phẩm mới (từ 800 đến 1,000V). Một số nhà sản xuất bao gồm Mitsubishi, Toshiba và ON Semi, đang tìm kiếm sự khác biệt so với các đối thủ cạnh tranh bằng cách cung cấp các thiết bị IGBT có mức điện áp danh định “trung gian” – chẳng hạn như 1,300V, 1,350V, 2,000V
Các nhà sản xuất IGBT Trung Quốc đang bắt kịp nhanh chóng về phát triển, sản xuất và năng lực.
Vì công suất fab 200mm dành cho các thiết bị điện đã tương đối đầy đủ nên việc sản xuất trên tấm wafer 300mm cho phép năng lực sản xuất thiết bị cao hơn để đáp ứng nhu cầu của thị trường IGBT đang phát triển.
Không có gì đáng ngạc nhiên khi để tăng khối lượng sản xuất trong 10 năm tới, tất cả các công ty lớn đều đang đầu tư vào việc mở rộng năng lực sản xuất IGBT, vì việc chuyển đổi sang tấm wafer 300mm cho phép cơ cấu chi phí tốt hơn để đối mặt với sự cạnh tranh ngày càng tăng với các nhà sản xuất Trung Quốc.
Tuy nhiên, có một số công ty Trung Quốc cũng đang mở rộng lên 300mm bằng cách mở rộng nhà máy của riêng họ như HHGrace và CanSemi, hoặc bằng cách mua lại các công ty nước ngoài.