Der HybridPACK Drive CoolSiC ist eine Vollbrücke Modulen mit 1200-V-Blockierung Spannung optimiert für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EV).
Das Leistungsmodul basiert auf dem Automotive CoolSiC Trench MOSFET Technologie für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte und hoher Leistung.
Dies bietet höhere Effizienz bei Wechselrichtern mit größerer Reichweite und geringeren Batteriekosten, insbesondere für Fahrzeuge mit 800-V-Batteriesystemen und größerer Batteriekapazität.
Der HybridPACK-Antrieb wurde erstmals 2017 vorgestellt und nutzt die Silizium-EDT2-Technologie von Infineon, die speziell für die Erzielung bester Effizienz in einem realen Fahrzyklus optimiert wurde. Es bietet einen skalierbaren Leistungsbereich von 100 kW bis 180 kW innerhalb der 750-V- und 1200-V-Klasse.
Die neue CoolSiC-Version basiert auf dem Siliziumkarbid-Trench von Infineon MOSFET Struktur. Im Vergleich zu planaren Strukturen ermöglicht die Grabenstruktur eine höhere Zelldichte, was zu einem erstklassigen Gütefaktor führt. Deshalb Graben Mosfets können mit geringeren Gate-Oxid-Feldstärken betrieben werden, was zu einer erhöhten Zuverlässigkeit führt.
Das Leistungsmodul bietet einen hochwertigen Weg von Silizium zu Siliziumkarbid bei gleicher Grundfläche. Dadurch kann das Wechselrichterdesign eine höhere Leistung von bis zu 250 kW in der 1200-V-Klasse, eine größere Reichweite, eine kleinere Batteriegröße sowie eine optimierte Systemgröße und -kosten erreichen.
Um ein optimales Preis-Leistungs-Verhältnis für unterschiedliche Leistungsstufen zu bieten, ist dieses Produkt in zwei Versionen mit unterschiedlicher Chipanzahl erhältlich, sodass sich in der 400-V-Klasse entweder eine 200-A- oder eine 1200-A-DC-Nennversion ergibt.
Die erste Generation der CoolSiC Automotive MOSFET-Technologie ist für den Einsatz in Traktionswechselrichtern optimiert, wobei der Schwerpunkt auf der Erzielung geringster Leitungsverluste, insbesondere unter Teillastbedingungen, liegt. Kombiniert mit geringen Schaltverlusten von Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglicht dies einen Effizienzgewinn im Wechselrichterbetrieb im Vergleich zu Silizium IGBTs.
CoolSiC-MOSFETs für den Automobilbereich wurden entwickelt und getestet, um Kurzschlussfestigkeit und ein hohes Maß an Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung und Gateoxiden zu erreichen, was für die Entwicklung effizienter und zuverlässiger Traktionswechselrichter für Kraftfahrzeuge und anderer Hochspannungsanwendungen von entscheidender Bedeutung ist. Das Modul ist nach AQG324 qualifiziert,