HybridPACK Drive CoolSiC adalah jembatan penuh modul dengan pemblokiran 1200 V tegangan dioptimalkan untuk inverter traksi pada kendaraan listrik (EV).
Modul daya didasarkan pada parit CoolSiC otomotif MOSFET teknologi untuk kepadatan daya tinggi dan aplikasi berkinerja tinggi.
Ini menawarkan efisiensi yang lebih tinggi pada inverter dengan jarak yang lebih jauh dan biaya baterai yang lebih rendah, terutama untuk kendaraan dengan sistem baterai 800 V dan kapasitas baterai yang lebih besar.
Drive HybridPACK pertama kali diperkenalkan pada tahun 2017, menggunakan teknologi EDT2 silikon Infineon, yang dioptimalkan secara khusus untuk memberikan efisiensi terbaik pada siklus mengemudi di dunia nyata. Ini menawarkan rentang daya yang dapat diskalakan dari 100 kW hingga 180 kW dalam kelas 750 V dan 1200 V.
Versi CoolSiC baru didasarkan pada parit silikon karbida Infineon MOSFET struktur. Dibandingkan dengan struktur planar, struktur parit memungkinkan kepadatan sel yang lebih tinggi, sehingga menghasilkan nilai terbaik di kelasnya. Oleh karena itu, parit MOSFET dapat dioperasikan pada kekuatan medan oksida gerbang yang lebih rendah, sehingga meningkatkan keandalan.
Modul daya menawarkan jalur kelas atas dari silikon ke silikon karbida dengan footprint yang sama. Hal ini memungkinkan desain inverter untuk mencapai daya yang lebih tinggi hingga 250 kW di kelas 1200 V, jarak mengemudi yang lebih jauh, ukuran baterai yang lebih kecil, serta ukuran dan biaya sistem yang dioptimalkan.
Untuk menawarkan rasio kinerja biaya yang optimal untuk tingkat daya yang berbeda, produk ini tersedia dalam dua versi dengan jumlah chip yang berbeda, menghasilkan versi peringkat 400 A atau 200 A DC di kelas 1200 V.
Teknologi MOSFET otomotif CoolSiC generasi pertama dioptimalkan untuk digunakan pada inverter traksi, dengan fokus pada pencapaian kerugian konduksi terendah, terutama pada kondisi beban parsial. Dikombinasikan dengan kerugian peralihan yang rendah pada MOSFET silikon karbida, hal ini memungkinkan peningkatan efisiensi dalam pengoperasian inverter dibandingkan dengan silikon IGBTs.
Otomotif CoolSiC MOSFET dirancang dan diuji untuk mencapai ketahanan hubung singkat dan sinar kosmik tingkat tinggi dan ketahanan gerbang-oksida, yang merupakan kunci untuk merancang inverter traksi otomotif yang efisien dan andal serta aplikasi tegangan tinggi lainnya. Modul ini memenuhi syarat untuk AQG324,