A Infineon Technologies AG lançou uma nova potência automotiva módulo: O HybridPACK Drive G2. Ele se baseia em seu conceito estabelecido HybridPACK Drive G1 de um pacote B6 integrado, fornecendo escalabilidade dentro do mesmo espaço e expandindo-o para maior potência e facilidade de uso. O novo módulo de potência terá diferentes classificações de corrente, Voltagem níveis (750V e 1200V) e as tecnologias de chip de próxima geração da empresa EDT3 (Si IGBT) e CoolSiC G2 mosfet.
Com uma faixa de potência de até 300kW nas classes de 750V e 1200V, o novo módulo oferece alta facilidade de uso e novos recursos, incluindo uma opção de integração para corrente de fase de última geração sensor e detecção de temperatura no chip, permitindo melhorias nos custos do sistema. O módulo de potência atinge maior desempenho e densidade de potência através de melhor montagem e interconexão tecnologia. A adoção de nova tecnologia de interconexão (sinterização de chips) e novos materiais (nova caixa de plástico preto) permite uma classificação de temperatura mais alta, produzindo maior desempenho e maior vida útil do produto.
A primeira geração (G1) foi introduzida em 2017, usando tecnologia de silício EDT2. Ele fornece uma faixa de potência de 100kW a 180kW na classe de 750V. Em 2021, a empresa ampliou sua família de produtos com a primeira geração do HybridPACK Drive Automotive CoolSiC mosfet, o que permitiu que o projeto do inversor alcançasse maior potência de até 250kW dentro da classe de 1200V, autonomia mais longa, tamanho de bateria menor e tamanho e custo otimizados do sistema.
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