Infineon Technologies AG đã phát hành một nguồn năng lượng ô tô mới mô-đun: Ổ đĩa HybridPACK G2. Nó được xây dựng dựa trên khái niệm HybridPACK Drive G1 đã được thiết lập của gói B6 tích hợp, cung cấp khả năng mở rộng trong cùng một diện tích và mở rộng nó lên công suất cao hơn và dễ sử dụng. Mô-đun nguồn mới sẽ có xếp hạng dòng điện khác nhau, Vôn (750V và 1200V) và công nghệ chip thế hệ tiếp theo của công ty EDT3 (Si IGBT) và CoolSiC G2 mosfet.
Với dải công suất lên tới 300kW trong các loại 750V và 1200V, mô-đun mới mang lại tính dễ sử dụng cao và các tính năng mới, bao gồm tùy chọn tích hợp cho dòng điện pha thế hệ tiếp theo cảm biến và cảm biến nhiệt độ trên chip, giúp cải thiện chi phí hệ thống. Mô-đun nguồn đạt được hiệu suất và mật độ nguồn cao hơn thông qua việc lắp ráp và kết nối được cải tiến công nghệ. Việc áp dụng công nghệ kết nối mới (thiêu kết chip) và vật liệu mới (vỏ nhựa đen mới) cho phép định mức nhiệt độ cao hơn, tạo ra hiệu suất cao hơn và tuổi thọ sản phẩm dài hơn.
Thế hệ đầu tiên (G1) được giới thiệu vào năm 2017, sử dụng công nghệ silicon EDT2. Nó cung cấp dải công suất từ 100kW đến 180kW ở loại 750V. Vào năm 2021, công ty đã mở rộng dòng sản phẩm của mình với thế hệ đầu tiên của HybridPACK Drive Automotive CoolSiC mosfet, cho phép thiết kế biến tần đạt được công suất cao hơn lên tới 250kW trong loại 1200V, phạm vi hoạt động dài hơn, kích thước pin nhỏ hơn cũng như kích thước và chi phí hệ thống được tối ưu hóa.
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử